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您正在寻找一颗能同时兼顾高耐压、高效率与高可靠性的功率开关吗？STP8NK80Z正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6.2A的持续电流能力，其核心价值在于能让您的电源转换效率大幅提升。

它通过仅1.5欧姆的低导通电阻和46nC的低栅极电荷，显著减少了开关过程中的能量损耗和发热。这意味着，您可以轻松构建出更凉爽、更节能的电源系统，无论是用于开关电源、照明驱动还是电机控制，都能确保稳定高效的能量传输，让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STP8NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。