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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关吗？STL33N65M2正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有650V的漏源电压和20A的连续电流能力，其核心魅力在于MDmesh技术带来的超低导通电阻（仅154毫欧），能显著降低导通损耗，让您的电源系统效率轻松攀上新高度。

它采用先进的PowerFlat HV封装，散热性能出众，能帮助您有效管理温升，提升系统可靠性。同时，优化的栅极电荷和电容特性，让驱动更简单，开关更迅速，助您实现更高频率、更小体积的设计。无论是提升能效、缩小尺寸还是增强可靠性，STL33N65M2都能成为您设计中值得信赖的功率核心。

• 型号:STL33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:154 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL33N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。