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您正在寻找一颗能同时兼顾高压耐受与高效开关性能的“心脏”吗？STP8N120K5正是您的理想之选。这颗基于意法半导体MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有高达1200V的击穿电压和仅2欧姆的低导通电阻，让您在设计工业电源、太阳能逆变器或电机驱动时，能大幅降低导通损耗，显著提升系统整体能效。

它具备快速开关特性，优化的栅极电荷和电容参数让开关过程更为干净利落，有效减少开关损耗和电磁干扰。高达130W的功率处理能力和宽广的-55°C至150°C工作结温范围，确保了其在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的功率系统选择了一个高效、可靠且坚固的核心，让复杂的高压功率管理变得前所未有的轻松。

• 型号:STP8N120K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:505 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP8N120K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。