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您正在寻找一颗能轻松驾驭大功率、同时保持冷静与高效的动力核心吗？STP80NF55L-06正是为您而来。这颗来自意法半导体STripFET II系列的N沟道MOSFET，拥有80A的强大电流处理能力和低至6.5毫欧的导通电阻，能显著降低开关和传导损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。

它采用坚固的TO-220AB封装，支持高达300W的功率耗散，并能在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作。其优化的栅极特性让驱动设计更简单，开关更迅速。选择它，就是为您的设备注入一颗强劲、可靠且能效出众的“心脏”，轻松应对高负载挑战，全面提升产品竞争力。

• 型号:STP80NF55L-06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:136 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF55L-06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。