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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP80NF12正是为您而来！这颗采用STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有120V耐压和80A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅18mΩ @10V, 40A）。这意味着它能大幅减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

更低的损耗直接转化为更高的效率和更简单的散热设计。无论是用于提升服务器电源的能效，还是强化工业变频器的输出动力，STP80NF12都能让您轻松应对。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在恶劣环境下依然稳定可靠，是您构建高性能、高可靠性电力电子设备的理想基石。

• 型号:STP80NF12
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:120 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:189 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF12，ST（意法半导体）产品一站式供应商。