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您正在设计需要处理高电压、大电流的电源或电机驱动方案吗？STB26NM60ND正是为您而来的强大引擎。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和21A的强劲电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（仅175毫欧），能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。

得益于意法半导体FDmesh II技术，它实现了出色的开关性能与坚固性的平衡。这意味着在诸如服务器电源、工业变频器、UPS等应用中，它能帮助您轻松提升能效等级，增强系统可靠性，同时简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起时间考验的卓越性能保障。

• 型号:STB26NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:175 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1817 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB26NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。