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您正在寻找一颗能扛起高电流重任、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP80NF06正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和高达80A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它基于意法半导体成熟的STripFET II技术打造，不仅开关速度快，而且栅极驱动简单。无论是用于提升现有设备的效率，还是为可靠性和成本敏感的应用提供坚实保障，STP80NF06都能让您轻松应对中高功率领域的挑战，实现更稳定、更持久的产品性能。

• 型号:STP80NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:150 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NF06，ST（意法半导体）产品一站式供应商。