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当您的设计需要处理高达80A的强大电流时，STP80NE06-10就是您理想的功率开关解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有仅10毫欧的超低导通电阻，能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽，直接帮助您提升终端产品的能效表现。

它采用经典的TO-220AB通孔封装，易于安装和散热，其高达175°C的结温工作能力和150W的功率耗散能力，确保了在恶劣环境下的长期稳定性和可靠性。无论是用于工业控制、电源管理还是汽车电子领域，它都能让您轻松应对高电流挑战，构建更坚固、更耐用的电路核心。

• 型号:STP80NE06-10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 80A TO220AB
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:140 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:10000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP80NE06-10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。