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还在为高压电路中的开关损耗和热管理问题烦恼吗？STP7NM80正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和6.5A的强大电流处理能力，能轻松胜任开关电源、电机驱动等高压场合的核心开关任务。

它凭借低至1.05欧姆的导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升您的系统效率。优化的动态参数让开关更迅捷，驱动更轻松。经典的TO-220封装则提供了出色的散热能力和安装便利性。选择它，就是选择让您的设计在性能与可靠性上赢得双重优势。

• 型号:STP7NM80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.05 欧姆 @ 3.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:620 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NM80，ST（意法半导体）产品一站式供应商。