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您是否在寻找一颗能轻松驾驭200V开关任务，同时兼顾高效率与小体积的MOSFET？STN1N20正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在10V驱动下高效导通，最大程度减少功率损耗，让您的电源转换或电机控制电路运行得更凉爽、更持久。

它集成了快速开关特性与稳健的耐用性，工作温度范围宽达-55°C至150°C，确保在各种严苛环境下稳定工作。采用节省空间的SOT-223封装，让您能在紧凑的PCB布局中轻松集成，完美适配对尺寸有要求的现代电子设备设计。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠。

• 型号:STN1N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-223
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:206 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• STN1N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。