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还在为高压电源设计的效率与可靠性头疼吗？让STP7N95K3来为您分忧！这颗来自意法半导体SuperMESH3家族的N沟道MOSFET，是您攻克高压挑战的得力助手。

它拥有高达950V的击穿电压和7.2A的连续电流能力，让您的电源、电机驱动或充电设备面对电压波动时稳如泰山。其核心价值在于卓越的高效性能：极低的导通电阻（1.35Ω @10V）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，从而提升整体系统效率，并减少散热设计压力。

选择它，意味着您选择了一个经过验证的、可靠的解决方案，能让您的产品在能效和稳定性上赢得关键优势，轻松应对严苛的应用环境。

• 型号:STP7N95K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1031 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N95K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。