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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与高可靠性的开关核心吗？STP2N80K5正是为您而来！这颗采用先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的漏源电压和2A的连续电流能力，让您在设计高压电源、PFC电路或照明驱动时，能够轻松驾驭能量转换，实现系统效率的显著跃升。

它的卓越之处在于，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快、损耗更低，配合仅4.5欧姆的导通电阻，有效减少了导通期间的发热与能量浪费。这意味着您的设备不仅能运行得更“冷静”，整体能效也更为出色。无论是提升现有产品的性能，还是开发新一代高效能解决方案，STP2N80K5都是让您事半功倍的理想选择。

• 型号:STP2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。