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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效、低温运行的功率开关吗？STF40N20正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有200V的耐压和40A的强劲电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻，能大幅减少开关过程中的能量损耗，让您的电源、电机驱动或逆变器设计运行得更凉爽、更高效。

它采用成熟的TO-220FP封装，散热性能优异，轻松应对高功率应用。优化的动态参数确保了快速开关响应，帮助您提升系统频率与功率密度。选择它，就是为您的产品注入一份经久考验的可靠性与能效优势。

• 型号:STF40N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:75 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF40N20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。