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您是否正在寻找一颗能轻松驾驭900V高压平台的功率开关？STP6NB90正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有5.8A的强劲电流输送能力，配合其出色的PowerMESH技术，能显著降低导通电阻，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对严苛的工业环境。高达135W的功率处理能力和150°C的结温，确保了其在长时间高负荷下的稳定表现。无论是用于提升系统能效，还是增强产品的可靠性，STP6NB90都能成为您设计中值得信赖的核心动力部件。

• 型号:STP6NB90
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 5.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NB90，ST（意法半导体）产品一站式供应商。