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规格参数
制造商产品型号:STGP14NC60KD制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)描述:IGBT 600V 25A 80W TO220系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):25A电流-集电极脉冲(Icm):50A不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A功率-最大值:80W开关能量:82J(开),155J(关)输入类型:标准栅极电荷:34.4nC25°C时Td(开/关)值:22.5ns/116ns测试条件:390V,7A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):37ns工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3STGP14NC60KD,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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