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还在为功率器件的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STP60NF10为您带来改变。这颗基于STripFET II技术的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。它拥有100V的耐压和高达80A的电流处理能力，能轻松应对严苛的负载环境。

更关键的是，其极低的导通电阻能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更高效。同时，优化的开关特性让您能够设计出频率更高、体积更小的电源或驱动方案。选择STP60NF10，就是选择了一个让设计更简单、性能更出众的可靠基石。

• 型号:STP60NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。