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还在寻找一颗能同时驾驭高电流与低损耗的功率开关吗？STP60N3LH5 N沟道MOSFET就是您的高效能量闸门。它能在30V电压下顺畅处理高达48A的连续电流，而其核心魅力在于极低的导通电阻（仅8.4毫欧），能显著减少导通状态下的功率损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其快速的开关特性（低栅极电荷）让它在高频DC-DC转换或电机PWM控制中响应迅捷，有效降低开关损耗。广泛的温度适应能力确保它在各种环境下稳定工作。选择它，就是为您的电源管理或电机驱动方案注入一股强劲而高效的动力，让您轻松实现更紧凑、更可靠的产品设计。

• 型号:STP60N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):48A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.4 毫欧 @ 24A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。