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还在为寻找一颗能同时兼顾高效、紧凑与易驱动的功率开关而烦恼吗？STS4DNF60L双N沟道MOSFET正是为您而来的解决方案。它内置两颗性能一致的N沟道MOSFET，能轻松处理高达60V电压和4A电流，其逻辑电平门驱动特性让您可以直接用微控制器进行高效控制，极大简化了外围电路设计。

这颗芯片的核心使命，是让您的能量转换更高效、损耗更低。得益于STripFET技术，其导通电阻极低，能显著减少导通状态下的功率损耗和发热。同时，优化的栅极电荷和电容参数确保了快速、干净的开关动作，让您的系统在更高频率下运行也能保持出色的效率与稳定性。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，STS4DNF60L都能帮助您构建出更可靠、更节能的电子产品。

• 型号:STS4DNF60L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15nC @ 4.5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1030pF @ 25V
• 功率 - 最大值:2W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• STS4DNF60L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。