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您正在寻找一颗能同时兼顾高压、高效与高可靠性的功率开关吗？STP5NK50ZFP正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和4.4A的连续电流能力，其核心的SuperMESH技术让导通电阻低至1.5欧姆，并显著降低了栅极电荷，这意味着它能帮助您的电源或电机驱动设计大幅降低开关损耗，提升整体能效。

它让您轻松应对复杂的电路环境，高达70W的功率耗散能力和TO-220FP封装确保了出色的热管理，工作温度范围宽达-55°C至150°C，保障了系统在严苛条件下的长期稳定运行。无论是用于功率转换还是负载开关，STP5NK50ZFP都能以卓越的性能，成为您打造高效、可靠电力电子产品的坚实基石。

• 型号:STP5NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP5NK50ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。