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规格参数
制造商产品型号：STB155N3LH6制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）描述：MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DeepGATE, STripFET VI零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 40A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：80nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3800pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：110W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：D2PAKSTB155N3LH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。
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