我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB155N3LH6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能扛起大电流、低损耗重任的“核心开关”吗？STB155N3LH6 N沟道MOSFET就是为您的高性能应用量身定制的答案。它集成了意法半导体先进的STripFET VI技术，在仅5V或10V的驱动电压下，就能实现低至3毫欧的超低导通电阻，轻松驾驭高达80A的连续电流，让您的电源转换或电机驱动系统效率大幅提升，热量显著降低。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的设计突破功率密度瓶颈。其优异的开关特性（低栅极电荷）意味着更快的切换速度和更低的驱动损耗，帮助您构建响应更迅捷、能效更高的电路。同时，高达110W的功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了它在严苛环境下的稳定运行与长久寿命。选择它，就是为您的产品注入了高效、可靠的核心动力。

• 型号:STB155N3LH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB155N3LH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。