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您正在寻找一颗能兼顾高性能与高性价比的功率开关吗？STP5N60M2正是为您的中小功率应用量身打造的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和3.7A的强劲电流能力，基于ST领先的MDmesh II Plus技术，它能显著降低导通与开关损耗，让您的电源或电机驱动设计运行得更高效、更凉爽。

它能让您轻松应对开关电源、LED照明和家用电器中的功率转换挑战。极低的栅极电荷和输入电容简化了驱动电路设计，而经典的TO-220封装则确保了出色的散热和可靠的安装。选择它，就是选择了一种让产品更可靠、开发更高效的智能方式。

• 型号:STP5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。