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还在为射频系统功率不足而妥协性能吗？让PD85004为您带来改变！这颗基于先进LDMOS技术的射频MOSFET，专为870MHz频段的高要求应用打造，能轻松将您的信号放大至4W的强大输出，并带来高达17dB的清晰增益，确保您的通信链路既强劲又高效。

它能在13.6V的工作电压下稳定运行，并具备40V的高耐压特性，让您的设计更加坚固可靠。无论是基站功放还是专业射频设备，PD85004都能让您以更少的复杂度，实现更优的功率效率和线性度，助您轻松攻克射频功率挑战，打造出类拔萃的无线产品。

• 型号:PD85004
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:SOT-89-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 13.6V SOT89-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:870MHz
• 增益:17dB
• 电压 - 测试:13.6 V
• 额定电流（安培）:2A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:50 mA
• 功率 - 输出:4W
• 电压 - 额定:40 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-243AA
• 供应商器件封装:SOT-89-3
• PD85004，ST（意法半导体）产品一站式供应商。