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您正在寻找一颗能轻松驾驭1200V高压，同时保持高效开关性能的功率开关管吗？STP5N120正是为此而生。这颗N沟道MOSFET采用先进的SuperMESH技术，能显著降低导通电阻，让您在处理高达4.7A电流时，依然享受低损耗带来的高效能与低发热。

它能让您的开关电源、电机控制或工业电源设计更加稳健。高达160W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保您的设备在各种环境下稳定运行。其优化的栅极电荷特性，让驱动设计变得更简单，助您轻松提升系统整体响应速度和可靠性。

• 型号:STP5N120
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1200V 4.7A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:120 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N120，ST（意法半导体）产品一站式供应商。