我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB18N55M5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为如何平衡电源系统的高压、大电流与高效率而烦恼吗？让STB18N55M5为您提供答案。这颗550V/16A的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh V技术，能显著降低导通与开关损耗，直接提升您的电源转换效率，让系统运行更节能、散热更轻松。

它集高耐压、大电流承载能力和优异的动态特性于一身。高达110W的功率耗散能力和150°C的工作结温，确保其在工业电源、电机控制等 demanding 应用中的长期可靠性。选择它，就是为您的设计注入一颗强劲而高效的心脏，让性能提升变得简单直接。

• 型号:STB18N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:192 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:31 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1260 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB18N55M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。