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面对高压、大电流的功率转换挑战，您需要一颗既能扛住压力，又能保持冷静高效的“心脏”。STP57N65M5正是为此而生。它基于意法半导体先进的MDmesh V技术，为您提供650V/42A的强悍功率处理能力，同时凭借低至63毫欧的导通电阻，大幅降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统效率显著提升，运行更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松驾驭工业电源、UPS、太阳能逆变器等高压应用。其优化的动态特性与低栅极电荷，确保了快速干净的开关动作，帮助您减少开关损耗，实现更高频率和更紧凑的设计。高达250W的耗散功率和坚固的TO-220封装，赋予了它卓越的可靠性与散热能力，让您的产品在严苛环境下依然稳定如山。选择STP57N65M5，就是为您的核心功率级选择一个高效、可靠且经久耐用的解决方案。

• 型号:STP57N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 42A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:63 毫欧 @ 21A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:98 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4200 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP57N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。