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还在为寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关而烦恼吗？STP55NF06L正是为您而来的解决方案！它基于意法半导体先进的STripFET II技术，拥有60V的耐压和高达55A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅18毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗N沟道MOSFET旨在让您的设计工作变得轻松。它具备快速的开关速度和较低的栅极电荷，意味着您可以简化驱动电路设计，实现更高效的功率控制。无论是用于提升开关电源的效率，还是为电机提供强劲而精准的驱动，STP55NF06L都能以出色的性能和可靠性，助您打造更具市场竞争力的产品。

• 型号:STP55NF06L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 55A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.7V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP55NF06L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。