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还在为如何平衡功率、效率与可靠性而烦恼吗？STGFW30H65FB正是为您破解这一难题而生。这颗650V/60A的沟槽场截止IGBT，凭借仅2V@30A的低Vce(sat)，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了快速的开关特性（37ns/146ns的开关延迟）与高达175°C的结温工作能力，确保系统在苛刻环境下依然稳定可靠。无论是提升工业变频器的能效，还是强化太阳能逆变器的功率密度，它都能让您的设计轻松应对挑战，实现性能的飞跃。

• 型号:STGFW30H65FB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3PF-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-3PF-3
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:58 W
• 开关能量:151J（导通），293J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:149 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:37ns/146ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3PFM，SC-93-3
• 供应商器件封装:TO-3PF-3
• STGFW30H65FB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。