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还在为高压应用中的开关损耗和可靠性问题烦恼吗？让STP4NK80Z来为您解决！这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达800V的击穿电压和仅3.5欧姆的低导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它专为 demanding 应用而优化，极低的栅极电荷和输入电容让开关速度更快，从而轻松提升整体系统频率和功率密度。无论是开发新一代节能照明、紧凑型适配器，还是可靠的工业控制板，STP4NK80Z都能为您提供坚实的性能基础，助您轻松应对设计挑战，打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STP4NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。