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还在寻找一颗能兼顾高压、高效与可靠性的开关管吗？STP4NK50ZD正是为您而来！这颗采用ST先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和3A的连续电流能力，让您在设计开关电源、LED驱动或电机控制电路时信心十足。

它的核心价值在于卓越的能效表现。通过优化内部结构，实现了低导通电阻与低栅极电荷的完美结合，这意味着更少的能量以热的形式耗散，更高的系统效率得以实现。您将轻松获得更低温升、更小散热需求和更长的产品寿命。其坚固的TO-220AB封装和宽工作温度范围，确保了在各种应用环境下的稳定运行，是打造高品质、高可靠性产品的理想基石。

• 型号:STP4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK50ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。