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您是否正在寻找一颗能够轻松驾驭百安级电流，同时将导通损耗降至最低的功率开关？STL160N3LLH6正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有30V的耐压和高达160A的连续电流承载能力，而其最耀眼之处在于极低的导通电阻在10V驱动下仅1.3毫欧，能显著减少功率损耗，提升系统整体效率。

它采用先进的STripFET VI技术，不仅让您获得卓越的电气性能，其优化的栅极电荷（61.5nC）还能帮助您实现更高效、更快速的开关控制，简化驱动设计。无论是用于同步整流、电机驱动还是大电流负载开关，STL160N3LLH6都能让您的产品运行更凉爽、更可靠、性能更强劲。

• 型号:STL160N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:61.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6375 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL160N3LLH6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。