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还在为功率转换系统的效率瓶颈寻找突破方案吗？STP46N60M6正是您期待的答案。这颗基于先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的击穿电压和高达36A的连续电流能力，其核心价值在于极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷。这意味着它能帮助您大幅降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的功率密度和更优的能效等级。

无论是开发紧凑型服务器电源、高可靠性工业变频器，还是高效的太阳能逆变器，STP46N60M6都能让您游刃有余。它出色的动态性能和坚固性确保了系统在恶劣工况下的稳定运行，有效减少热设计压力。选择它，就是为您的产品选择了经市场验证的高性能与长寿命，助您高效完成设计，快速赢得市场。

• 型号:STP46N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2340 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP46N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。