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还在为高压应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STL22N60M6正是为您而来的解决方案。这颗采用MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的漏源电压和10A的连续电流能力，其核心使命就是让您的电源设计更高效、更紧凑。

它凭借低至250毫欧的导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，直接提升系统能效，同时减少散热设计压力。先进的PowerFlat HV封装让您能在更小的空间内实现更大的功率输出，轻松应对高功率密度设计的挑战。无论是提升现有产品性能，还是开发下一代高效能设备，STL22N60M6都是您值得信赖的功率开关选择。

• 型号:STL22N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:57W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）HV
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL22N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。