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还在寻找那颗能同时驾驭高电压、大电流与低损耗的“全能型”功率开关吗？STW24N60M2正是您期待的答案。它基于意法半导体先进的MDmesh II Plus技术，集600V耐压、18A电流承载能力与低至190毫欧的导通电阻于一身，能显著降低开关和传导损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体效率。

这颗芯片的卓越之处在于其动态性能。优化的栅极电荷和电容参数让开关过程更快、更干净，这不仅减少了开关损耗，还让您能够轻松采用更高频率的设计，从而使用更小、更经济的电感和变压器。其坚固的TO-247封装和宽工作温度范围，确保了在高功率应用中的长期稳定性和出色的散热表现，让您的产品设计更可靠、更耐用。

• 型号:STW24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。