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您正在为高功率、高电压的开关电源寻找一颗性能强悍且可靠的核心开关器件吗？STP42N65M5正是为您而来。这颗650V/33A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh V技术，能显著降低导通和开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的效率与功率密度。

它卓越的电气特性，如低至79毫欧的导通电阻和优化的栅极电荷，意味着更少的发热和更快的开关速度。无论是用于服务器电源、工业驱动还是UPS系统，STP42N65M5都能帮助您构建更紧凑、更高效、运行更稳定的解决方案，大幅提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STP42N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:79 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4650 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP42N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。