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还在为高压应用中的效率损失和散热问题头疼吗？让STP28NM50N为您带来改变！这颗采用MDmesh II技术的500V/21A N沟道MOSFET，以其低至158毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，直接提升您的电源或电机驱动系统的整体能效。

它能让您的设计更高效、更可靠。极低的栅极电荷确保了快速的开关性能，适合高频操作；而坚固的TO-220封装和150W的耗散功率，则让您轻松应对严苛的散热环境。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 型号:STP28NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:158 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1735 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。