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STL10HN65M2 零件图片(仅供参考)

STL10HN65M2
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STL10HN65M2 规格参数

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心引擎”吗?STL10HN65M2正是您期待的答案。作为意法半导体出品的优质功率MOSFET,它专为应对高要求应用而打造。

这颗芯片能为您做什么?它致力于让能量转换过程损耗更低、发热更少。这意味着,在您的服务器电源、工业驱动或充电设备中,它可以显著提升整体能效,让系统运行更凉爽、更持久。同时,其稳健的设计让您轻松应对各种严苛的工作环境,大大增强了产品的可靠性和市场竞争力。

选择STL10HN65M2,就是选择了一个高效、可靠的解决方案,它简化了您的设计挑战,助您轻松打造出性能卓越的下一代产品。

  • 制造商产品型号:STL10HN65M2
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:POWER MOSFET
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
  • 产品系列:*
  • 零件状态:有源
  • FET类型:-
  • 技术:-
  • 漏源电压(Vdss):-
  • 25°C时电流-连续漏极(Id):-
  • 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):-
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值):-
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):-
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):-
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:-
  • 安装类型:-
  • 器件封装:-
  • STL10HN65M2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STL10HN65M2 基本参数:

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