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您正在寻找一颗能轻松掌控高压开关任务的“能量指挥官”吗？STP3NK90Z正是这样一位得力干将。它基于意法半导体先进的SuperMESH技术打造，拥有高达900V的漏源电压和3A的连续漏极电流，让您在设计反激式开关电源、LED驱动或工业辅助电源时，面对高压输入也能信心十足，高效完成能量转换。

这颗芯片的卓越之处在于其精妙的平衡艺术。它通过优化设计，实现了低至4.8欧姆的导通电阻和仅22.7nC的栅极电荷，这意味着更低的传导损耗和更快的开关速度，直接为您带来更高的系统效率和更小的发热量。搭配经典的TO-220AB封装和90W的功率处理能力，散热轻松，运行稳定可靠。选择它，就是为您的产品选择了一份高效、耐用且应对高压游刃有余的卓越性能保障。

• 型号:STP3NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。