还在为电源转换效率不高而烦恼吗?STD16N50M2正是您期待的解决方案!这颗来自ST意法半导体的500V/13A N沟道MOSFET,采用先进的MDmesh技术,能为您大幅降低导通与开关损耗,轻松实现更高能效的电源设计。
它让您的高功率应用运行得更冷静、更可靠。极低的Rds(on)和优化的动态参数,意味着更少的能量浪费和更出色的热管理,助您轻松应对服务器、工业驱动、充电设备等场景的严苛要求。选择它,就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的竞争力。
- 型号:STD16N50M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 13A TO252
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):280 毫欧 @ 6.5A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19.5 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):710 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):110W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
- STD16N50M2,ST(意法半导体)产品一站式供应商。