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还在为电源转换效率不高或电机驱动不够平滑而头疼吗？让IRF530来为您解决！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，是您实现高效功率控制的得力助手。它能轻松处理高达100V的电压和14A的连续电流，凭借其低至160毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升您的系统能效，让热量管理变得更简单。

无论是构建紧凑的DC-DC转换器，还是驱动中小型电机，IRF530都能让您的设计事半功倍。优化的开关特性帮助您实现更快的切换速度，而坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，则确保了它在各种环境下都能稳定运行。选择它，就是为您的项目选择了一份经典可靠的保障。

• 型号:IRF530
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:458 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• IRF530，ST（意法半导体）产品一站式供应商。