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还在为高压开关应用的效率与可靠性头疼吗？让STP3HNK90Z来为您分忧！这颗来自意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，是您实现高效功率管理的得力助手。

它拥有800V的高耐压和3A的电流处理能力，配合极低的导通电阻，能显著减少开关损耗和发热，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。其优化的栅极电荷和电容特性，还能让您轻松实现更快的开关速度，提升整体响应性能。

采用坚固的TO-220AB封装，安装简便，散热出色。选择STP3HNK90Z，就是选择了一颗历经考验、能够稳定支撑您产品长期运行的核心器件，助您轻松构建高性能、高可靠的电力电子解决方案。

• 型号:STP3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3HNK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。