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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？让STF4N90K5来为您破局！这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的900V N沟道MOSFET，核心使命就是让您的电源设计更高效、更可靠。它凭借低至2.1欧姆的导通电阻和优异的动态特性，能显著降低开关及导通损耗，直接提升系统整体能效，同时其高达900V的耐压为您应对电压波动提供了坚实保障。

它能让您轻松驾驭反激、正激等主流拓扑结构，在开关电源、电机驱动等应用中游刃有余。其TO-220FP封装兼顾了出色的功率处理能力与散热性能，配合宽广的工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都能稳定持久地工作。选择STF4N90K5，就是选择了一个经过优化、值得信赖的功率开关解决方案，助您快速实现高性能、高可靠性的产品设计目标。

• 型号:STF4N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 4A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:173 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3
• STF4N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。