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您是否正在寻找一颗能同时驾驭高电压、大电流，又能保持极低损耗的“全能型”功率开关？STW70N60DM6-4正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和62A的强大电流吞吐能力，而其核心魅力在于仅42毫欧的超低导通电阻，能显著减少能量在传输过程中的损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它采用先进的TO-247-4封装，独特的四引脚设计带来了独立的驱动回路，让您能够轻松实现更快速、更干净的开关控制，有效抑制噪声和振荡。无论是提升开关频率以缩小系统体积，还是优化热管理以增强可靠性，STW70N60DM6-4都能让您的设计游刃有余。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的双重基因。

• 型号:STW70N60DM6-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 62A TO247-4
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):62A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:42 毫欧 @ 31A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:99 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-4
• 封装/外壳:TO-247-4
• STW70N60DM6-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。