我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STP33N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

想象一下，为您的电源或电机驱动项目寻找一颗心脏般的功率开关，它需要足够强大、高效且可靠。STP33N65M2正是为此而生。这颗来自意法半导体的650V/24A N沟道MOSFET，凭借其MDmesh M2技术，为您提供极低的140毫欧导通电阻，能显著降低传导损耗，提升系统整体能效，让您的设备运行更省电、发热更少。

它拥有优化的开关特性，栅极电荷低至41.5nC，让您能够轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统成本与尺寸。高达190W的功率耗散能力和150°C的工作结温，确保了它在高负荷下的卓越稳定性。选择STP33N65M2，就是为您的设计注入高效与耐用的双重保障，轻松应对各种严苛挑战。

• 型号:STP33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。