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还在为高压电路中的开关损耗和可靠性头疼吗？STD2NK90Z-1正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的900V耐压和仅2.1A的连续漏极电流能力，其核心价值在于SuperMESH技术带来的超低导通电阻（典型值6.5欧姆），能显著减少导通损耗，让您的电源转换效率轻松跃升。

它能让您轻松驾驭开关电源、LED驱动及各类离线式转换器设计。优异的栅极电荷特性确保了快速干净的开关动作，而坚固的I-PAK通孔封装则提供了卓越的散热性能。选择它，就是为您的产品注入了意法半导体的高可靠性基因，让高效与稳定兼得。

• 型号:STD2NK90Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD2NK90Z-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。