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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高可靠性的功率开关吗？STP33N60M6正是为您而来。这颗采用ST先进MDmesh M6技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和25A的连续电流能力，其核心价值在于极低的栅极电荷（33.4nC）和导通电阻（125mΩ），能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

它意味着您可以在提升系统功率密度的同时，无需为热管理而过度设计。坚固的TO-220封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保它在各种挑战性环境中稳定输出。选择它，就是为您的产品选择了一份经得起考验的强劲动力与持久耐力。

• 型号:STP33N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1515 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。