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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STGD4M65DF2正是为您而设计。它采用先进的沟槽型场截止IGBT技术，集650V高耐压与仅2.1V的低导通压降于一身，能显著降低系统开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能轻松处理高达8A的持续电流，并具备优异的快速开关特性（开启延迟仅12ns），让您的系统响应迅捷，控制精准。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和表面贴装封装，更为您应对严苛环境与实现紧凑设计提供了强大保障。选择它，就是为您的产品注入了持久稳定的高性能核心。

• 型号:STGD4M65DF2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:8 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):16 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.1V @ 15V，4A
• 功率 - 最大值:68 W
• 开关能量:40J（导通），136J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:15.2 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:12ns/86ns
• 测试条件:400V，4A，47 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):133 ns
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:DPAK
• STGD4M65DF2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。