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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STP30NF10正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET II技术的N沟道MOSFET，拥有100V耐压和高达35A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅45毫欧@10V）。这意味着它能让您的电路以更小的损耗通过大电流，直接提升系统整体效率，并大幅减轻散热设计的压力。

同时，其优化的动态参数，如较低的栅极电荷，让开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关电源、电机驱动等对效率敏感的应用。TO-220AB封装坚固可靠，便于安装和散热。选择STP30NF10，就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力，轻松应对各种功率转换与控制的挑战。

• 型号:STP30NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 35A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1180 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NF10，ST（意法半导体）产品一站式供应商。