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您正在寻找一颗能扛起高效功率转换重任的核心开关吗？STP30N65M5正是为此而生！这颗650V耐压、22A电流能力的N沟道MOSFET，能轻松胜任开关电源、电机控制、光伏逆变器等应用中的主功率开关角色。它采用意法半导体先进的MDmesh V技术，让您在高压下依然获得极低的导通损耗。

更低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统运行更高效、更凉爽。其坚固的TO-220AB封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在恶劣环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的产品注入了高效与稳定的基因，让功率设计难题迎刃而解。

• 型号:STP30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。