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您正在寻找一颗能同时驾驭高电流与高效率的功率开关吗？STP300NH02L正是为您而生的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的120A连续电流能力和仅2.2毫欧的超低导通电阻，能显著降低您在电源转换或电机驱动中的导通损耗，让系统运行更凉爽、能效比大幅提升。

它采用成熟的TO-220AB封装，易于安装和散热。高达300W的功率处理能力和宽达-55°C至175°C的工作结温，确保它在严苛环境下依然稳定可靠。无论是提升现有设计的性能，还是开发需要强劲动力的新产品，它都能让您轻松应对，实现高效、紧凑且可靠的功率设计。

• 型号:STP300NH02L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.2 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:109.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:7055 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP300NH02L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。