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还在为高压电源设计的效率与可靠性烦恼吗？让STP2NK90Z来为您分忧！这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有高达900V的击穿电压和2.1A的连续电流能力，专为 demanding 的开关应用优化。

它能为您做什么？其核心价值在于极低的导通电阻与栅极电荷，这直接转化为更低的功率损耗和更高的开关频率。这意味着，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，STP2NK90Z能让系统运行得更高效、更凉爽，显著提升整体能效和功率密度，同时其坚固的TO-220封装确保了出色的热性能和长期可靠性，让您的设计脱颖而出。

• 型号:STP2NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.5 欧姆 @ 1.05A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK90Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。